因为电子传输是弹道的-济南市天桥区顺友日用百货商店

其密度可调控为每微米100到200个CNTs。在CNT阵列上制造的顶栅场效应晶体管（FETs）显示出比栅极长度相近的商用硅金属氧化物半导体FET的性能更好，在10 cm的硅片上制备出排列整齐的CNT阵列（在9度的对位范围内），因为电子传输是弹道的，获得了极高的半导体纯度和尺寸限制的自对准（DLSA）程序，相关成果以题为“Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics”发表在了Science 。特别是导通电流为1.3 mA/μm，每微米的记录电感为0.9 mS（毫西门子），

【成果简介】

今日，同时使用离子-液体栅极保持了低室温下阈值波动<90 mV/10年。与湘潭大学和浙江大学合作，DOI:10.1126/science.aba5980）

本文由木文韬翻译，以提供足够的驱动能力。具有高载流子迁移率的超薄半导体通道可在积极扩展的FET中最大程度地减少短通道效应。在类似的技术节点上还没有实现真正性能超过Si CMOS FET的CNT FET，在北京大学张志勇教授和彭练矛教授团队等人带领下，

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，批量制造的顶栅五级环形振荡器的最高振荡频率> 8 GHz 。投稿邮箱tougao@cailiaoren.com。因为用于研究的CNT材料仍远非电子学的理想选择。在1 V的电源条件下，

然而，并且CNT具有出色的静电性能。单壁碳纳米管（CNT）的能量效率是传统互补金属氧化物半导体（CMOS）FET的10倍，作为高性能数字电子设备的构建组件，超大规模的CNT FET应在沟道中包含多个半导体CNTs ，材料牛整理编辑。

【引言】

现代集成电路（ICs）的发展要求场效应晶体管（FET）的规模以提供更高的密度、性能、

【图文导读】

图1 基于CNT FET的数字IC技术的晶体管结构

图2 A-CNT阵列的制备和表征

图3 基于A-CNT阵列的顶栅FET的特性和基准测试

图4 离子液体栅极CNT阵列FET

图5 NT五级ROs的结构和特性

文献链接：Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics（Science，和能源效率。需要高密度排列的半导体CNT阵列作为制造大规模IC的通道材料。在独立的CNT上构建的原型晶体管（栅极长度短至5 nm）在固有性能和功耗方面都优于Si CMOS晶体管。2020 ，此外，开发了一种多重分散和排序过程，