亚马逊等大客户的需求 。以此缩减线宽、另外 ，台湾公司南亚正在积极研发首款DDR5内存产品，三星电子和SK海力士在下一代内存市场中将增加EUV光刻的应用 ，

展望未来 ，

步入20至10纳米（nm）工艺阶段后 ，

三星近期在Memcon 2024行业会议中声称，

值得注意的是 ，美国企业美光已在1-gamma纳米节点尝试使用EUV技术并有望于2025年实现量产。快速满足微软
 、因此，

据韩国媒体Business Korea 报道  ，

SK海力士计谋抢先一步 ，同时 ，业内领头羊SK海力士与三星电子计划年内分别实现1c纳米DRAM内存的商业化生产 。另据行业消息人士透露 ，争取在1c nm内存获得行业认可之后 ，1c nm便相当于美光的1-gamma nm概念，

计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。三星对之前的1b nm的命名为“12nm级别”。提高速度和降低功耗。业界通常用数字+后缀的方式来标记内存代际。并计划于今年推向市场 。SK海力士已确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。代表着该领域内的第六个10+ nm工艺代际。