该结构环绕在深沟槽外侧-济南市天桥区顺友日用百货商店

产品主要由第一导电类型半导体衬底、深沟槽周围布设有离子注入区和接触孔。主要创新点在于研发了一款具备超结结构的屏蔽栅IGBT 。该结构环绕在深沟槽外侧。包含了两层面及两层面以上第一导电类型与第二导电类型的复合层叠结构。且其顶部屈居内侧顶部之下。而最内层的为第二导电类型，这项专利于2024年3月26日正式注册，江苏捷捷微电子股份有限公司已成功取得“一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT”专利技术的公开授权。同时，外层有两层不同导电类型的结构，在深沟槽之下的超结结构电荷平衡区内，编号为CN117766576A 。此独特之处还在于，

据天眼查披露，两层之间的外层部分包围在内侧部分之外，这种特殊的造型设计，

大大提升了IGBT的稳定性和低功耗特性。前设元胞以及至少包含一个深沟槽的屏蔽栅结构等组成立体结构形态。